В то время наиболее популярной концепцией являлась идея раздельного изготовления каждого элемента схемы, и только после этого объединенных на плате. Но еще в 1952 году Джеффри Даммером было выдвинуто предположение о возможности изготовления схемы на едином кристалле, когда формируя полупроводниковые слои с различным типом проводимости создаются основные компоненты схемы. Так, используя комбинации p-n-переходов формируются транзисторы с различными свойствами, емкость p-n-перехода позволяет формировать структуру конденсаторов, а сопротивление материала – для формирования резисторов.

Таким образом, достижение Джека Килби заключается в практической реализации идей его английского коллеги, Джеффри Даммера, однако значение этого шага столь велико, что в 2000 году Килби становится лауреатом Нобелевской премии, именно за его разработки конца 50-хх годов.

Следующим значительным этапом развития интегральных микросхем стала демонстрация Робертом Нойсом (компания Fairchild Semiconductor) интегральной схемы на основе кремния. Вскоре, благодаря значительно меньшим токам утечки, кремниевые полупроводниковые структуры практически полностью вытеснили германиевые схемы. Обе разработки, и Килби, и Нойса, были сделаны примерно в одно время, причем сотрудники обеих компаний, и Texas Instruments, и Fairchild Semiconductor получили патенты на свои изобретения. Это стало причиной множества претензий двух компаний друг к другу, впрочем, завершившихся дружественным соглашением, по которому обе стороны имели право выдавать соответствующие лицензии третьим лицам.

Отметить столь знаменательное событие, каковым является разработка первой интегральной схемы, компания Texas Instruments решила открытием лаборатории, названной в честь Килби – Kilby Lab, которая должна стать центром генерации и практической реализации новейших идей в области полупроводниковой электроники.

Источник: 3DNews